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全新万代AOD6210 MOS场效应管 N沟道 30V 28A DFN

发布：2017-05-31 13:51，更新：2010-01-01 00:00
AON6210型号AON6210品牌AON6210封装AON6210备注
AON6210AOS美国万代DFN全新原装现货

AOD6210  MOSFET N-CH 30V 28A DFN


AON6210一般信息

数据列表AON6210;DFN5x6_8L_EP1_P Pkg Drawing;标准包装  3,000包装  标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-其它名称785-1401-2 


AON6210规格

FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）28A（Ta），85A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）2.1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）100nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）6300pF @ 15VFET 功能-功率耗散（Zui大值）2.3W（Ta），83W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）1.8 毫欧 @ 20A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装8-DFN（5x6）封装/外壳8-PowerSMD，扁平引线


AON6210文档

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