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AON5820 AOS万代 场效应管N型20V 10A DFN

发布：2017-05-27 12:16，更新：2010-01-01 00:00
AON5820型号AON5820品牌 AON5820封装AON5820备注 
AON5820AOS美国万代DFN全新原装现货 

AON5820 MOSFET N-CH 20V 10A DFN


AON5820一般信息

数据列表AON5820;DFN2x5-6L Pkg Drawing;标准包装  5,000包装  标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵列系列-


AON5820规格

FET 类型2 N 沟道（双）共漏FET 功能逻辑电平门漏源极电压（Vdss）20V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）10A不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）9.5 毫欧 @ 10A，4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）15nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）1510pF @ 10V功率 - Zui大值1.7W工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳6-SMD，扁平引线裸焊盘供应商器件封装6-DFN-EP（2x5）


AON5820文档

其它有关文件AOS Green PolicyPCN 组件/产地Additional Wafer Supplier 20/Aug/2013



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