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全新万代AON5802A MOS场效应管 2N-CH 30V 7.2A DFN

发布：2017-05-26 15:33，更新：2010-01-01 00:00
AON5802A型号AON5802A品牌  AON5802A封装  AON5802A备注
AON5802AAOS美国万代DFN全新原装现货

AON5802A MOSFET 2N-CH 30V 7.2A DFN


AON5802A一般信息

数据列表AON5802B(L);DFN2x5-6L Pkg Drawing;标准包装  5,000包装  标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵列系列-


AON5802A规格

FET 类型2 N 沟道（双）共漏FET 功能逻辑电平门漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）7.2A不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）19 毫欧 @ 7A，4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）24nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）1150pF @ 15V功率 - Zui大值1.6W工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳6-SMD，扁平引线裸焊盘供应商器件封装6-DFN-EP（2x5）


AON5802A文档

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AON5802A产品广泛应用于：



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