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AOT15S65 MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
发布时间： 2017-06-15 15:00 更新时间： 2017-06-15 15:00
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| AOT15S65 | AOS美国万代 | TO-220 | 全新原装现货 |
AOT15S65 MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
AOT15S65一般信息
| 数据列表AOx(F)15S65;TO220 Pkg Drawing;标准包装 1,000包装 管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列aMOS™其它名称AOT15S65L-ND |
AOT15S65规格
| FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）650V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）15A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）17.2nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）841pF @ 100VFET 功能-功率耗散（Zui大值）208W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）290 毫欧 @ 7.5A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220封装/外壳TO-220-3 |
AOT15S65文档
| 其它有关文件AOS Green Policy |
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