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AOT11S65 原装现货MOS管 N-CH 650V 11A TO-220

发布时间： 2017-06-15 10:05 更新时间： 2017-06-15 10:05
AOT11S65型号AOT11S65品牌AOT11S65封装AOT11S65备注
AOT11S65AOS美国万代TO-220全新原装现货

AOT11S65  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220


AOT11S65一般信息

数据列表AOx(F)11S65;TO220 Pkg Drawing;标准包装  1,000包装  管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列aMOS™其它名称AOT11S65L-ND 


AOT11S65规格

FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）650V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）13.2nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）646pF @ 100VFET 功能-功率耗散（Zui大值）198W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）399 毫欧 @ 5.5A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220封装/外壳TO-220-3


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