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全新IPD50P04P4-13 原装现货MOS管 N型 40V 50A TO252

发布时间： 2017-06-14 15:12 更新时间： 2017-06-14 15:12

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IPD50P04P4-13	AOS美国万代	TO-252	全新原装现货

IPD50P04P4-13 MOSFET N-CH 40V 50A TO252

IPD50P04P4-13一般信息

数据列表IPD50P04P4-13;标准包装 2,500包装标准卷带类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列OptiMOS™其它名称IPD50P04P413ATMA1TR SP000840204

IPD50P04P4-13规格

FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）40V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）50A（Tc）驱动电压（Zui大 Rds On，Zui小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）4V @ 85µA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（Zui大值）51nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）3670pF @ 25VVgs（Zui大值）±20VFET 功能-功率耗散（Zui大值）58W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）12.6 毫欧 @ 50A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装PG-TO252-3-313封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

IPD50P04P4-13文档

其它有关文件Part Number GuidePCN 组件/产地Wafer Test Add 27/Apr/2017

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