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AOD7N65 AOS万代 MOS场效应管N型 650V 7A TO252

发布时间： 2017-05-19 17:49 更新时间： 2017-05-19 17:49

AOD7N65型号AOD7N65品牌 AOD7N65封装AOD7N65备注
AOD7N65AOS美国万代TO-252 全新原装现货 

AOD7N65 MOSFET N-CH 650V 7A TO252


AOD7N65一般信息

数据列表AOD7N65;TO252 (DPAK) Pkg Drawing;标准包装  2,500包装  标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-其它名称785-1484-2 


AOD7N65规格

FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）650V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）7A（Tc）驱动电压（Zui大 Rds On，Zui小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）4.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）24nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）1180pF @ 25VVgs（Zui大值）±30VFET 功能-功率耗散（Zui大值）178W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）1.56 欧姆 @ 3.5A，10V工作温度-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装TO-252，（D-Pak）封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63


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