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原装现货 AOD4S60 MOSFET N-CH 30V 62A TO252
发布时间: 2017-05-19 11:59 更新时间: 2017-05-19 11:59
AOD4S60型号 | AOD4S60品牌 | AOD4S60封装 | AOD4S60备注 |
AOD4S60 | AOS美国万代 | TO-252 | 全新原装现货 |
AOD4S60 MOSFET N-CH 30V 62A TO252
AOD4S60一般信息
数据列表AOD4S60/AOI4S60;TO252 (DPAK) Pkg Drawing;标准包装 2,500包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列aMOS™其它名称785-1265-2 AOD4S60L |
AOD4S60规格
FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)4A(Tc)驱动电压(Zui大 Rds On,Zui小 Rds On)10V不同 Id 时的 Vgs(th)(Zui大值)4.1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(Zui大值)6nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(Zui大值)263pF @ 100VVgs(Zui大值)±30VFET 功能-功率耗散(Zui大值)56.8W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(Zui大值)900 毫欧 @ 2A,10V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装TO-252,(D-Pak)封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
AOD4S60文档
其它有关文件AOS Green Policy |
AOD4S60产品广泛应用于:
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