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全新AOD200 MOSFET场效应管 N沟 30V 14A
发布时间： 2017-05-16 17:47 更新时间： 2017-05-16 17:47
| AOD200型号 | AOD200品牌 | AOD200封装 | AOD200备注 |
| AOD200 | AOS美国万代 | TO-252 | 全新原装现货 |
AOD200 MOSFET N-CH 30V 14A TO252
AOD200一般信息
| 数据列表AOD200;TO252 (DPAK) Pkg Drawing;标准包装 2,500包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列- |
AOD200规格
| FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）14A（Ta），36A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）2.4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）16nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）1300pF @ 15VFET 功能-功率耗散（Zui大值）2.5W（Ta），50W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）7.8 毫欧 @ 20A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装TO-252，（D-Pak）封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
AOD200文档
| 其它有关文件AOS Green Policy |
AOD200产品广泛应用于：
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