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AOD11S60 MOSFET 600V 11A TO252
发布时间： 2017-05-16 14:33 更新时间： 2017-05-16 14:33
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| AOD11S60 | AOS美国万代 | TO-252 | 全新原装现货 |
AOD11S60 MOSFET 600V 11A TO252
AOD11S60一般信息
| 数据列表AOD11S60/AOI11S60;TO252 (DPAK) Pkg Drawing;标准包装 2,500包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列aMOS™其它名称785-1264-2 AOD11S60L |
AOD11S60规格
| FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11A（Tc）驱动电压（Zui大 Rds On，Zui小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）4.1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）11nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）545pF @ 100VVgs（Zui大值）±30VFET 功能-功率耗散（Zui大值）208W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）399 毫欧 @ 3.8A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装TO-252，（D-Pak）封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
AOD11S60文档
| 其它有关文件AOS Green Policy |
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