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AOD11S60 MOSFET N-CH 600V 11A

发布时间： 2017-05-09 11:39 更新时间： 2017-05-09 11:39

  

aod11s60型号 aod11s60品牌   aod11s60封装   aod114s60备注
aod11s60 aos美国万代 to-263 全新原装现货 

aod11s60 mosfet n-ch 600v 11a to263

 

aod11s60一般信息
数据列表 标准包装   包装   类别 产品族 系列 其它名称
aod11s60/aoi11s60;
to252 (dpak) pkg drawing;
2,500
标准卷带 
分立半导体产品
晶体管 - fet，mosfet - 单
amos™
785-1264-2 
aod11s60l 

aod11s60规格
fet 类型 技术 漏源极电压（vdss） 电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 驱动电压（Zui大 rds on，Zui小 rds on） 不同 id 时的 vgs（th）（Zui大值） 不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（Zui大值） 不同 vds 时的输入电容（ciss）（Zui大值） vgs（Zui大值） fet 功能 功率耗散（Zui大值） 不同 id，vgs 时的 rds on（Zui大值） 工作温度 安装类型 供应商器件封装 封装/外壳
n 沟道
mosfet（金属氧化物）
600v
11a（tc）
10v
4.1v @ 250µa
11nc @ 10v
545pf @ 100v
±30v
-
208w（tc）
399 毫欧 @ 3.8a，10v
-55°c ~ 150°c（tj）
表面贴装
to-252，（d-pak）
to-252-3，dpak（2 引线 + 接片），sc-63

aod11s60文档
其它有关文件
aos green policy
 

aod11s60 产品广泛应用于：

 

 

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