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AOB4S60 MOSFET N-CH 650V 7A TO263

发布时间： 2017-05-09 20:30 更新时间： 2017-05-09 20:30

  

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aob4s60 aos美国万代 to-263 全新原装现货 

aob4s60 mosfet n-ch 650v 7a to263

aob4s60一般信息
数据列表 标准包装   包装   类别 产品族 系列 其它名称
aox7s65(l);
to263 (d2pak) pkg drawing;
800
标准卷带 
分立半导体产品
晶体管 - fet，mosfet - 单
amos™
aob7s65l-nd 

规格
fet 类型 技术 漏源极电压（vdss） 电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 不同 id 时的 vgs（th）（Zui大值） 不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（Zui大值） 不同 vds 时的输入电容（ciss）（Zui大值） fet 功能 功率耗散（Zui大值） 不同 id，vgs 时的 rds on（Zui大值） 工作温度 安装类型 供应商器件封装 封装/外壳
n 沟道
mosfet（金属氧化物）
650v
7a（tc）
4v @ 250µa
9.2nc @ 10v
434pf @ 100v
-
104w（tc）
650 毫欧 @ 3.5a，10v
-55°c ~ 150°c（tj）
表面贴装
to-263（d²pak）
to-263-3，d²pak（2 引线 + 接片），to-263ab

文档
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aos green policy
 

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