全新MOS管 AOD8N25 AOS万代 250V 8A TO252
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| AOD8N25 | AOS美国万代 | TO-252 | 全新原装现货 |
AOD8N25 MOSFET N-CH 250V 8A TO252
AOD8N25一般信息
| 数据列表AOD8N25/AOI8N25;TO252 (DPAK) Pkg Drawing;标准包装 2,500包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-其它名称785-1361-2 |
AOD8N25规格
| FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）250V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）8A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）4.3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）7.2nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）306pF @ 25VFET 功能-功率耗散（Zui大值）78W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）560 毫欧 @ 1.5A，10V工作温度-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装TO-252，（D-Pak）封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
AOD8N25文档
| 其它有关文件AOS Green Policy |
AOD8N25产品广泛应用于：
联系方式：
公司：深圳市创立翔科技有限公司
地址：广东省深圳市福田区华强北深南中路3018号世纪汇广场都会轩1913室联系人：吴生，伟楠
电话：0755-88600801，23946783手机：18038114430/13380393806传真：0755-88600656企业网站：www.cxsdic.com/企业微信：
发布时间：2017-05-19
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