AOD5N50 AOS万代 场效应管N型 400V 4.2A
| AOD5N50型号 | AOD5N50品牌 | AOD5N50封装 | AOD5N50备注 |
| AOD5N50 | AOS美国万代 | TO-252 | 全新原装现货 |
AOD5N50 MOSFET N-CH 400V 4.2A TO252
AOD5N50一般信息
| 数据列表AOD5N50;TO252 (DPAK) Pkg Drawing;标准包装 2,500包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列- |
AOD5N50规格
| FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）500V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）4.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）14nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）670pF @ 25VFET 功能-功率耗散（Zui大值）104W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）1.6 欧姆 @ 2.5A，10V工作温度-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装TO-252，（D-Pak）封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
AOD5N50文档
| 其它有关文件AOS Green PolicyPCN 组件/产地Additional Wafer Supplier 20/Aug/2013 |
AOD5N50产品广泛应用于：
联系方式：
公司：深圳市创立翔科技有限公司
地址：广东省深圳市福田区华强北深南中路3018号世纪汇广场都会轩1913室联系人：吴生，伟楠
电话：0755-88600801，23946783手机：/传真：0755-88600656企业网站：www.cxsdic.com/企业微信：
发布时间：2017-05-19
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