公司新闻

AO3419 功率MOS管

发布时间： 2016-08-06 10:07 更新时间： 2016-08-06 10:07

AO3419型号	AO3419品牌	AO3419封装	AO3419备注
AO3419	AOS美国万代代理商	SOT-23	全新原装现货

AO3419 P沟道 -20V SOT-23

AO3419PDF文件

AO3419产品描述：

ao3419采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON），门低栅极电荷和操作电压低至2.5V。本装置适用于负载开关应用。

AO3419产品特点：

VDS -20V

ID (at VGS=-10V) -3.5A

RDS(ON) (at VGS= -10V) <85mΩ

RDS(ON) (at VGS= -4.5V) <102mΩ

RDS(ON) (at VGS= -2.5V) <140mΩ

AO3419产品内部原理图：

AO3419产品规格：

FET 类型 FET 功能漏源极电压（Vdss）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）不同 Vds 时的输入电容（Ciss）功率 - Zui大值工作温度安装类型封装/外壳供应商器件封装

MOSFET P 通道，金属氧化物

逻辑电平栅极，2.5V 驱动

20V

3.5A（Ta）

85 毫欧 @ 3.5A，10V

1.4V @ 250µA

4.4nC @ 4.5V

400pF @ 10V

1.4W

-55°C ~ 150°C（TJ）

表面贴装

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

SOT-23-3L

AO3419产品其他型号选型：

AO4614B	SO-8	AOS美国万代
AO4616	SO-8	AOS美国万代
AO4617	SO-8	AOS美国万代
AO4618	SO-8	AOS美国万代
AO4620	SO-8	AOS美国万代
AO4622	SO-8	AOS美国万代
AO4627	SO-8	AOS美国万代
AO4629	SO-8	AOS美国万代
AO4706	SO-8	AOS美国万代
AO4708	SO-8	AOS美国万代
AO4710	SO-8	AOS美国万代
AO4712	SO-8	AOS美国万代
AO4714	SO-8	AOS美国万代
AO4718	SO-8	AOS美国万代
AO4720	SO-8	AOS美国万代
AO4722	SO-8	AOS美国万代
AO4724	SO-8	AOS美国万代
AO4752	SO-8	AOS美国万代
AO4771	SO-8	AOS美国万代
AO4772	SO-8	AOS美国万代
AO4800	SO-8	AOS美国万代