全新万代AON5802A MOS场效应管 2N-CH 30V 7.2A DFN
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AON5802A MOSFET 2N-CH 30V 7.2A DFN
AON5802A一般信息
| 数据列表AON5802B(L);DFN2x5-6L Pkg Drawing;标准包装 5,000包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵列系列- |
AON5802A规格
| FET 类型2 N 沟道（双）共漏FET 功能逻辑电平门漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）7.2A不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）19 毫欧 @ 7A，4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）24nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）1150pF @ 15V功率 - Zui大值1.6W工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳6-SMD，扁平引线裸焊盘供应商器件封装6-DFN-EP（2x5） |
AON5802A文档
| 其它有关文件AOS Green Policy |
AON5802A产品广泛应用于：
联系方式：
公司：深圳市创立翔科技有限公司
地址：广东省深圳市福田区华强北深南中路3018号世纪汇广场都会轩1913室联系人：吴生，伟楠
电话：0755-88600801，23946783手机：/传真：0755-88600656企业网站：www.cxsdic.com/企业微信：
发布时间：2017-05-26
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