AON3814 AOS美国万代 MOS管N型 20V 6A DFN
发布时间:2017-05-26
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AON3814 | AOS美国万代 | DFN | 全新原装现货 |
AON3814 MOSFET N-CH 20V 6A DFN
AON3814一般信息
数据列表AON3814;DFN3x3-8L-NEP Pkg Drawing;标准包装 3,000包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 阵列系列- |
AON3814规格
FET 类型2 N 沟道(双)共漏FET 功能逻辑电平门漏源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)-不同 Id,Vgs 时的 Rds On(Zui大值)17 毫欧 @ 6A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(Zui大值)1.1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(Zui大值)13nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(Zui大值)1100pF @ 10V功率 - Zui大值2.5W工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装封装/外壳8-SMD,扁平引线供应商器件封装8-DFN(2.9x2.3) |
AON3814文档
其它有关文件AOS Green PolicyPCN 组件/产地Additional Wafer Supplier 20/Aug/2013 |
AON3814产品广泛应用于:
联系方式:
公司:深圳市创立翔科技有限公司
地址:广东省深圳市福田区华强北深南中路3018号世纪汇广场都会轩1913室联系人:吴生,伟楠
电话:0755-88600801,23946783手机:/传真:0755-88600656企业网站:www.cxsdic.com/企业微信:
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