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AOI1N60 MOS管AOS万代 500V 9A原装现货

AOI1N60型号AOI1N60品牌 AOI1N60封装AOI1N60备注
AOI1N60AOS美国万代TO-251A全新原装现货 

AOI11S60 MOSFET N-CH 500V 9A TO252

AOI11S60一般信息

数据列表AOx11S60;TO251A Pkg Drawing;标准包装  3,500包装  管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列aMOS™


AOI11S60规格

FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）4.1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）11nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）545pF @ 100VFET 功能-功率耗散（Zui大值）208W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）399 毫欧 @ 3.8A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-251A封装/外壳TO-251-3 短截引线，IPak


AOI11S60文档

其它有关文件AOS Green Policy


AOI11S60产品广泛应用于：



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发布时间：2017-05-20
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