AOI11S60 AOS万代 MOS管 原厂原装 进口现货
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AOI11S60 MOSFET N-CH 500V 9A TO251A
AOI11S60一般信息
| 数据列表AOx11S60;TO251A Pkg Drawing;标准包装 3,500包装 管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列aMOS™ |
AOI11S60规格
| FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）4.1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）11nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）545pF @ 100VFET 功能-功率耗散（Zui大值）208W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）399 毫欧 @ 3.8A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-251A封装/外壳TO-251-3 短截引线，IPak |
AOI11S60文档
| 其它有关文件AOS Green Policy |
AOI11S60产品广泛应用于：
联系方式：
公司：深圳市创立翔科技有限公司
地址：广东省深圳市福田区华强北深南中路3018号世纪汇广场都会轩1913室联系人：吴生，伟楠电话：0755-88600801，23946783手机：/传真：0755-88600656企业网站：www.cxsdic.com/企业微信：
发布时间：2017-05-20
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