aob4s60 mosfet n-ch 650v 7a to263

aob4s60一般信息 数据列表 标准包装   包装   类别 产品族 系列 其它名称 aox7s65(l); to263 (d2pak) pkg drawing; 800 标准卷带  分立半导体产品 晶体管 - fet，mosfet - 单 amos™ aob7s65l-nd  规格 fet 类型 技术 漏源极电压（vdss） 电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 不同 id 时的 vgs（th）（Zui大值） 不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（Zui大值） 不同 vds 时的输入电容（ciss）（Zui大值） fet 功能 功率耗散（Zui大值） 不同 id，vgs 时的 rds on（Zui大值） 工作温度 安装类型 供应商器件封装 封装/外壳 n 沟道 mosfet（金属氧化物） 650v 7a（tc） 4v @ 250µa 9.2nc @ 10v 434pf @ 100v - 104w（tc） 650 毫欧 @ 3.5a，10v -55°c ~ 150°c（tj） 表面贴装 to-263（d²pak） to-263-3，d²pak（2 引线 + 接片），to-263ab 文档 其它有关文件 aos green policy

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