aob416 mosfet n-ch 100v 6.2a to263

一般信息 数据列表 标准包装   包装   类别 产品族 系列 其它名称 aob416; to263 (d2pak) pkg drawing; 800 标准卷带  分立半导体产品 晶体管 - fet，mosfet - 单 sdmos™ 785-1210-2  规格 fet 类型 技术 漏源极电压（vdss） 电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 驱动电压（Zui大 rds on，Zui小 rds on） 不同 id 时的 vgs（th）（Zui大值） 不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（Zui大值） 不同 vds 时的输入电容（ciss）（Zui大值） vgs（Zui大值） fet 功能 功率耗散（Zui大值） 不同 id，vgs 时的 rds on（Zui大值） 工作温度 安装类型 供应商器件封装 封装/外壳 n 沟道 mosfet（金属氧化物） 100v 6.2a（ta），45a（tc） 7v，10v 4v @ 250µa 24nc @ 10v 1450pf @ 50v ±25v - 2.5w（ta），150w（tc） 36 毫欧 @ 20a，10v -55°c ~ 175°c（tj） 表面贴装 to-263（d²pak） to-263-3，d²pak（2 引线 + 接片），to-263ab 文档 其它有关文件 aos green policy

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