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全新AOI4S60 AOS万代MOS管 N-CH 100V 5A TO251
发布时间： 2017-05-22 10:21 更新时间： 2017-05-22 10:21
| AOI4N60型号 | AOI4N60品牌 | AOI4S60封装 | AOIAS60备注 |
| AOI4n60 | AOS美国万代 | TO-251 | 全新原装现货 |
AOI4S60 MOSFET N-CH 100V 5A TO251
AOI4S60一般信息
| 数据列表AOx482;TO251A Pkg Drawing;标准包装 3,500包装 管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列- |
AOI4S60规格
| FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5A（Ta），32A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）2.7V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）44nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）2000pF @ 50VFET 功能-功率耗散（Zui大值）2.5W（Ta），100W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）37 毫欧 @ 10A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-251A封装/外壳TO-251-3 短截引线，IPak |
AOI4S60文档
| 其它有关文件AOS Green PolicyPCN 过时产品/ EOLPR-00202 23/Jan/2017 |
AOi4S60产品广泛应用于：
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