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全新AOI4S60 AOS万代MOS管 N-CH 100V 5A TO251

发布：2017-05-22 10:21，更新：2010-01-01 00:00
AOI4N60型号AOI4N60品牌 AOI4S60封装AOIAS60备注
AOI4n60AOS美国万代TO-251全新原装现货 

AOI4S60 MOSFET N-CH 100V 5A TO251

AOI4S60一般信息

数据列表AOx482;TO251A Pkg Drawing;标准包装  3,500包装  管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-


AOI4S60规格

FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5A（Ta），32A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）2.7V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）44nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）2000pF @ 50VFET 功能-功率耗散（Zui大值）2.5W（Ta），100W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）37 毫欧 @ 10A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-251A封装/外壳TO-251-3 短截引线，IPak


AOI4S60文档

其它有关文件AOS Green PolicyPCN 过时产品/ EOLPR-00202 23/Jan/2017

AOi4S60产品广泛应用于：



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