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AOD4124 MOS场效应管 P沟道 100V 7.5A TO252
发布时间： 2017-05-17 14:25 更新时间： 2017-05-17 14:25
| AOD4124型号 | AOD4124品牌 | AOD4124封装 | AOD4124备注 |
| AOD4124 | AOS美国万代 | TO-252 | 全新原装现货 |
AOD4124 MOSFET P-CH 100V 7.5A TO252
AOD4124一般信息
| 数据列表AOD4124;TO252 (DPAK) Pkg Drawing;标准包装 2,500包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列SDMOS™ |
AOD4124规格
| FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）7.5A（Ta），54A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）38nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）2420pF @ 50VFET 功能-功率耗散（Zui大值）3.1W（Ta），150W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）21 毫欧 @ 20A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装TO-252，（D-Pak）封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
AOD4124文档
| 其它有关文件AOS Green PolicyPCN 过时产品/ EOLPR-00202 23/Jan/2017 |
AOD4124产品广泛应用于：
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