AOD478 MOS场效应管 N-CH 100V 11A进口现货

AOD478一般信息:

数据列表AOD478/AOI478;TO252 (DPAK) Pkg Drawing;标准包装  2,500包装  标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-其它名称785-1599-2 

AOD478规格:

FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.5A（Ta），11A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）2.8V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）13nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）540pF @ 50VFET 功能-功率耗散（Zui大值）2.1W（Ta），45W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）140 毫欧 @ 4.5A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装TO-252，（D-Pak）封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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