AOD4102型号 |
AOD4102品牌 |
AOD4102封装 |
AOD4102备注 |
AOD4102 |
AOS美国万代 |
TO-252 |
全新原装现货 |
AOD4102 MOSFET N-CH 30V 8A TO252
AOD4102一般信息
AOD4102规格
FET 类型
N 沟道 |
技术
MOSFET(金属氧化物) |
漏源极电压(Vdss)
30V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Ta),19A(Tc) |
不同 Id 时的 Vgs(th)(Zui大值)
3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(Zui大值)
6.6nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(Zui大值)
360pF @ 15V |
FET 功能
- |
功率耗散(Zui大值)
4.2W(Ta),21W(Tc) |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(Zui大值)
37 毫欧 @ 12A,10V |
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型
表面贴装 |
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak) |
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
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AOD4102文档
其它有关文件
AOS Green Policy |
PCN 过时产品/ EOL
EOL 27/Oct/2016 |
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AOD4102 产品广泛应用于:
联系方式:
公司:深圳市创立翔科技有限公司
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联系人:吴生,伟楠
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