AOS万代 AOB11S65 MOS场效应管
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| AOB11S65 | AOS美国万代 | TO-263 | 全新原装现货 |
AOB11S65 MOSFET N-CH 650V 11A TO263
AOB11S65一般信息
| 数据列表AOx11S65(L);TO263 (D2PAK) Pkg Drawing;标准包装 800包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列aMOS™其它名称AOB11S65L-ND |
规格
| FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）650V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）13.2nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）646pF @ 100VFET 功能-功率耗散（Zui大值）198W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）399 毫欧 @ 5.5A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装TO-263（D²Pak）封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
文档
| 其它有关文件AOS Green Policy |
AOB11S65产品广泛应用于：
联系方式：
公司：深圳市创立翔科技有限公司
地址：广东省深圳市福田区华强北深南中路3018号世纪汇广场都会轩1913室联系人：吴生，伟楠电话：0755-88600801，23946783手机：/传真：0755-88600656企业网站：www.cxsdic.com/企业微信：
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