AOB1100L型号 |
AOB1100L品牌 |
AOB1100L封装
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AOB1100L备注 |
AOB1100L |
AOS |
TSSOP-8 |
全新原装现货 |
AO1100L MOSFET N-CH 100V 8A TSSOP-8
AOB1100L一般信息
AOB1100L规格
FET 类型
N 沟道 |
技术
MOSFET(金属氧化物) |
漏源极电压(Vdss)
100V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Ta),130A(Tc) |
不同 Id 时的 Vgs(th)(Zui大值)
3.8V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(Zui大值)
100nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(Zui大值)
4833pF @ 25V |
FET 功能
- |
功率耗散(Zui大值)
2.1W(Ta),500W(Tc) |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(Zui大值)
11.7 毫欧 @ 20A,10V |
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型
表面贴装 |
供应商器件封装
TO-263(D²Pak) |
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
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AOB1100L文档
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AOB1100L产品广泛应用于:
联系方式:
公司:深圳市创立翔科技有限公司
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联系人:吴生,伟楠
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