| AO6409型号 |
AO6409品牌 |
AO6409封装 |
AO6409备注 |
| AO6409 |
AOS美国万代 |
TSOP-6 |
全新原装现货 |
AO6409 MOSFET N-CH 20V 5.5A TSOP-6
AO6409一般信息
AO6409规格
FET 类型
| P 沟道 |
技术
| MOSFET（金属氧化物） |
漏源极电压（Vdss）
| 20V |
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
| 5.5A（Ta） |
驱动电压（Zui大 Rds On，Zui小 Rds On）
| 1.8V，4.5V |
不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）
| 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）
| 17.2nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）
| 1450pF @ 10V |
Vgs（Zui大值）
| ±8V |
FET 功能
| - |
功率耗散（Zui大值）
| 2.1W（Ta） |
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）
| 45 毫欧 @ 5A，4.5V |
工作温度
| -55°C ~ 150°C（TJ） |
安装类型
| 表面贴装 |
供应商器件封装
| 6-TSOP |
封装/外壳
| SC-74，SOT-457 |
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AO6409文档
其它有关文件
| AOS Green Policy |
PCN 组件/产地
MOSFET Wafer Supplier 29/Oct/2013
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