AO6403型号 |
AO6403品牌 |
AO6403封装 |
AO6403备注 |
AO6403 |
AOS美国万代 |
TSOP-6 |
全新原装现货 |
AO6403 MOSFET P-CH 30V 6A TSOP-6
AO6403一般信息
AO6403规格
FET 类型
P 沟道 |
技术
MOSFET(金属氧化物) |
漏源极电压(Vdss)
30V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6A(Ta) |
不同 Id 时的 Vgs(th)(Zui大值)
2.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(Zui大值)
18.5nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(Zui大值)
920pF @ 15V |
FET 功能
- |
功率耗散(Zui大值)
2W(Ta) |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(Zui大值)
35 毫欧 @ 6A,10V |
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型
表面贴装 |
供应商器件封装
6-TSOP |
封装/外壳
SC-74,SOT-457 |
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AO6403文档
其它有关文件
AOS Green Policy |
PCN 过时产品/ EOL
EOL 26/Jan/2016
EOL Retraction 09/May/2016 |
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