AOT25S65 原装现货MOS管 N-CH 650V 25A TO-220
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AOT254L MOSFET N-CH 650V 25A TO-220
AOT25S65一般信息
| 数据列表AOx(F)25S65;TO220 Pkg Drawing;标准包装 1,000包装 管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列aMOS™其它名称AOT25S65L-ND |
AOT25S65规格
| FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）650V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）25A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）26.4nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）1278pF @ 100VFET 功能-功率耗散（Zui大值）357W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）190 毫欧 @ 12.5A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220封装/外壳TO-220-3 |
AOT25S65文档
| 其它有关文件AOS Green Policy |
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公司：深圳市创立翔科技有限公司
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发布时间：2017-06-17
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