AOT10N65 原装现货MOS管 N-CH 650V 10A TO-220
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AOT10N65 MOSFET N-CH 650V 10A TO-220
AOT10N65一般信息
| 数据列表AOT(F)10N65(L);TO220 Pkg Drawing;标准包装 1,000包装 管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列- |
AOT10N65规格
| FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）650V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）10A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）4.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）33nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）1645pF @ 25VFET 功能-功率耗散（Zui大值）250W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）1 欧姆 @ 5A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220封装/外壳TO-220-3 |
AOT10N65文档
| 其它有关文件AOS Green Policy |
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联系方式：
公司：深圳市创立翔科技有限公司
地址：广东省深圳市福田区华强北深南中路3018号世纪汇广场都会轩1913室联系人：吴生，伟楠电话：0755-88600801，23946783手机：/传真：0755-88600656企业网站：www.cxsdic.com/企业微信：
发布时间：2017-06-14
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