全新万代AOD6204 MOS场效应管 N沟道 30V 14A DFN
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| AON6204 | AOS美国万代 | DFN | 全新原装现货 |
AOD6204 MOSFET N-CH 30V 14A DFN
AON6204一般信息
| 数据列表AON6204;DFN5x6_8L_EP1_P Pkg Drawing;标准包装 3,000包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-其它名称785-1399-2 |
AON6204规格
| FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）14A（Ta），24A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）2.4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）10nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）670pF @ 15VFET 功能-功率耗散（Zui大值）1.9W（Ta），31W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）12 毫欧 @ 20A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装8-DFN（5x6）封装/外壳8-PowerSMD，扁平引线 |
AON6204文档
| 其它有关文件AOS Green PolicyPCN 过时产品/ EOLPR-00202 23/Jan/2017 |
AON6204产品广泛应用于：
联系方式：
公司：深圳市创立翔科技有限公司
地址：广东省深圳市福田区华强北深南中路3018号世纪汇广场都会轩1913室联系人：吴生，伟楠电话：0755-88600801，23946783手机：18038114430/13380393806传真：0755-88600656企业网站：www.cxsdic.com/企业微信：
发布时间：2017-05-31
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