FQB5N90 仙童代理商
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| FQB5N90 | FAIRCHILD/仙童代理商 | TO-263 | 全新原装现货 |
FQB5N90 N沟道 MOSFET 900V 5.4A TO-263
F文件
FQB5N90产品描述：
该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC及照明灯电子镇流器。
FQB5N90产品特点：
5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω（Zui大值）@VGS = 10 V,
ID = 2.7A栅极电荷低（典型值：31nC)
低 Crss（典型值13pF)
经过雪崩击穿测试
符合 RoHS 标准
FQB5N90产品内部原理图：
FQB5N90产品技术参数：
通道类型 |
N | |
| Zui大连续漏极电流 | 5.4 A | |
| Zui大漏源电压 | 900 V | |
| Zui大漏源电阻值 | 2.3 Ω | |
| Zui小栅阈值电压 | 3V | |
| Zui大栅源电压 | ±30 V | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| Zui大功率耗散 | 158 W | |
| 配置 | 单 | |
| 高度 | 4.83mm | |
| Zui高工作温度 | +150 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 1200 pF@ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 65 ns | |
| Zui低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 31 nC@ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 典型接通延迟时间 | 28 ns |
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