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AOS万代原装 MOS管AOU4S60 N沟道 600V 4A TO-251

发布：2017-07-08 12:05，更新：2010-01-01 00:00
AOU4S60型号AOU4S60品牌AOU4S60封装AOU4S60备注
AOU4S60AOS美国万代TO-251全新原装现货

AOU4S60  MOSFET N-CH 600V 4A TO251


AOU4S60产品详细描述：

AOU4S60一般信息

数据列表AOx4S60;TO251 Pkg Drawing;TO251A Pkg Drawing;标准包装  4,000包装  管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列aMOS™


AOU4S60规格

FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4A（Tc）驱动电压（Zui大 Rds On，Zui小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）4.1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）6nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）263pF @ 100VVgs（Zui大值）±30VFET 功能-功率耗散（Zui大值）56.8W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）900 毫欧 @ 2A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-251-3封装/外壳TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA


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