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AOS万代原装 MOS管AOU3N60 N沟道 600V 2.5A

发布：2017-07-08 11:58，更新：2010-01-01 00:00
AOU3N60型号AOU3N60品牌AOU3N60封装AOU3N60备注
AOU3N60AOS美国万代TO-251全新原装现货

AOU3N60  MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252


AOU3N60产品详细描述：

AOU3N60一般信息

数据列表AO(D,U)3N60;TO251 Pkg Drawing;标准包装  4,000包装  管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-其它名称785-1182-5 


AOU3N60规格

FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.5A（Tc）驱动电压（Zui大 Rds On，Zui小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）4.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）12nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）370pF @ 25VVgs（Zui大值）±30VFET 功能-功率耗散（Zui大值）56.8W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）3.5 欧姆 @ 1.25A，10V工作温度-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-251-3封装/外壳TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA


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