NTB25P06T4G ，创立翔科技供应，二三极管，MOS管

数据列表 产品相片 pcn 设计/规格 pcn 组件/产地 标准包装   类别 家庭 系列 包装   fet 类型 fet 功能 漏源极电压 (vdss) 电流 - 连续漏极 (id)（25°c 时） 不同 id、vgs 时的 rds on（Zui大值） 不同 id 时的 vgs(th)（Zui大值） 不同 vgs 时的栅极电荷 (qg) 不同 vds 时的输入电容 (ciss) 功率 - Zui大值 安装类型 封装/外壳 供应商器件封装 其它名称 ntb25p06 to-263 wafer probe measurement 16/oct/2013 tmos7 wafer fab expansion 04/dec/2013 800 分立半导体产品 fet - 单 - 带卷 （tr）   mosfet p 通道，金属氧化物 标准 60v 27.5a （ta） 82 毫欧 @ 25a，10v 4v @ 250µa 50nc @ 10v 1680pf @ 25v 120w 表面贴装 to-263-3，d²pak（2 引线+接片），to-263ab d2pak ntb25p06t4gos ntb25p06t4gos-nd ntb25p06t4gostr

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 mos管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，led，车载，玩具，电动车，电脑主板.
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场效应管 cep9060n cep9060
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