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AOS万代原装 MOS管AOU4N60 N沟道 600V 4A TO-251
发布时间：2017-07-08
AOU4N60型号AOU4N60品牌AOU4N60封装AOU4N60备注
AOU4N60AOS美国万代TO-251全新原装现货

AOU4N60  MOSFET N-CH 600V 4A TO251


AOU4N60产品详细描述：

AOU4N60一般信息

数据列表AOx4N60;TO251 Pkg Drawing;TO251A Pkg Drawing;标准包装  4,000包装  管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-其它名称AOU4N60-ND 


AOU4N60规格

FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4A（Tc）驱动电压（Zui大 Rds On，Zui小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）4.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）14.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）640pF @ 25VVgs（Zui大值）±30VFET 功能-功率耗散（Zui大值）104W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）2.3 欧姆 @ 2A，10V工作温度-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-251-3封装/外壳TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA


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