AON6482 MOSFET N-CH 100V 28A DFN
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AON6482 MOSFET N-CH 100V 28A DFN
AON6482一般信息
| 数据列表AON6482;DFN5x6_8L_EP1_P Pkg Drawing;标准包装 3,000包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-其它名称785-1229-2 |
AON6482规格
| FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5.5A（Ta），28A（Tc）驱动电压（Zui大 Rds On，Zui小 Rds On）4.5V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）2.7V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）44nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）2000pF @ 50VVgs（Zui大值）±20VFET 功能-功率耗散（Zui大值）2.5W（Ta），63W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）37 毫欧 @ 10A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装8-DFN（5x6）封装/外壳8-PowerSMD，扁平引线 |
AON6482文档
| 其它有关文件AOS Green Policy |
AON6482产品广泛应用于：
联系方式：
公司：深圳市创立翔科技有限公司
地址：广东省深圳市福田区华强北深南中路3018号世纪汇广场都会轩1913室联系人：吴生，伟楠
电话：0755-88600801，23946783手机：18038114430/13380393806传真：0755-88600656企业网站：www.cxsdic.com/企业微信：
发布时间：2017-06-02
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