AON5820 AOS万代 场效应管N型20V 10A DFN
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| AON5820 | AOS美国万代 | DFN | 全新原装现货 |
AON5820 MOSFET N-CH 20V 10A DFN
AON5820一般信息
| 数据列表AON5820;DFN2x5-6L Pkg Drawing;标准包装 5,000包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵列系列- |
AON5820规格
| FET 类型2 N 沟道（双）共漏FET 功能逻辑电平门漏源极电压（Vdss）20V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）10A不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）9.5 毫欧 @ 10A，4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）15nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）1510pF @ 10V功率 - Zui大值1.7W工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳6-SMD，扁平引线裸焊盘供应商器件封装6-DFN-EP（2x5） |
AON5820文档
| 其它有关文件AOS Green PolicyPCN 组件/产地Additional Wafer Supplier 20/Aug/2013 |
AON5820产品广泛应用于：
联系方式：
公司：深圳市创立翔科技有限公司
地址：广东省深圳市福田区华强北深南中路3018号世纪汇广场都会轩1913室联系人：吴生，伟楠电话：0755-88600801，23946783手机：/传真：0755-88600656企业网站：www.cxsdic.com/企业微信：
发布时间：2017-05-27
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