AOD413 原装MOSFET P-CH 40V 12A TO252场效应管
AOD413型号 | AOD413品牌 | AOD413封装 | AOD413备注 |
AOD413 | AOS美国万代 | TO-252 | 全新原装现货 |
AOD413 MOSFET P-CH 40V 12A TO252
AOD413一般信息
数据列表AOD413A;TO252 (DPAK) Pkg Drawing;标准包装 2,500包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列-其它名称785-1218-2 AOD413AL |
AOD413规格
FET 类型P 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源极电压(Vdss)40V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)12A(Tc)驱动电压(Zui大 Rds On,Zui小 Rds On)4.5V,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(Zui大值)3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(Zui大值)21nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(Zui大值)1125pF @ 20VVgs(Zui大值)±20VFET 功能-功率耗散(Zui大值)2.5W(Ta),50W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(Zui大值)44 毫欧 @ 12A,10V工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装TO-252,(D-Pak)封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
AOD413文档
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发布时间:2017-05-17
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