全新AOD1N60 进口MOS管 N型 600V 1.3A TO252
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| AOD1N60 | AOS美国万代 | TO-252 | 全新原装现货 |
AOD1N60 MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252
AOD1N60一般信息
| 数据列表AO(D,U)1N60;TO252 (DPAK) Pkg Drawing;标准包装 2,500包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-其它名称785-1179-2 |
AOD1N60规格
| FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.3A（Tc）驱动电压（Zui大 Rds On，Zui小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）4.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值）8nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值）160pF @ 25VVgs（Zui大值）±30VFET 功能-功率耗散（Zui大值）45W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）9 欧姆 @ 650mA，10V工作温度-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装TO-252，（D-Pak）封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
AOD1N60文档
| 其它有关文件AOS Green Policy |
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发布时间：2017-05-16
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