aod11s60 mosfet n-ch 600v 11a to263

aod11s60一般信息 数据列表 标准包装   包装   类别 产品族 系列 其它名称 aod11s60/aoi11s60; to252 (dpak) pkg drawing; 2,500 标准卷带  分立半导体产品 晶体管 - fet，mosfet - 单 amos™ 785-1264-2  aod11s60l  aod11s60规格 fet 类型 技术 漏源极电压（vdss） 电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 驱动电压（Zui大 rds on，Zui小 rds on） 不同 id 时的 vgs（th）（Zui大值） 不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（Zui大值） 不同 vds 时的输入电容（ciss）（Zui大值） vgs（Zui大值） fet 功能 功率耗散（Zui大值） 不同 id，vgs 时的 rds on（Zui大值） 工作温度 安装类型 供应商器件封装 封装/外壳 n 沟道 mosfet（金属氧化物） 600v 11a（tc） 10v 4.1v @ 250µa 11nc @ 10v 545pf @ 100v ±30v - 208w（tc） 399 毫欧 @ 3.8a，10v -55°c ~ 150°c（tj） 表面贴装 to-252，（d-pak） to-252-3，dpak（2 引线 + 接片），sc-63 aod11s60文档 其它有关文件 aos green policy

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